I-V曲線校正方法-迭代方法：

G01：維拉爾瓦方法 

與顯式方法相反，這種過程需要對方程組進行多次迭代，直到滿足終止條件。對于維拉爾 瓦等人提出的方法。[16]，執行幾個簡單的方程，在每次迭代中增加串聯電阻的值接收站直到 實際的參數集可以模擬一個I-V曲線PM值非常接近于PM測量曲線的值。在實踐中，這個過程是 非常幼稚的，因為它不能提供一個二極管理想性因子m的估計。實際上，它需要一個值m作為輸 入參數。必須執行以下步驟： (a)照片生成電流的值設置為：

Iph1=ISC1

(b)飽和電流采用（式（240）)確定：

(c)Rs的初始值1已設置= 0 W。 

(d)平行電阻通過（式（241）)：

和Iph1,是1, m,接收站1和Rsh1.然后，Z大功率值P * M 1是估計。如果|P * M 1— P * M 1 |小于 一個閾值，我們已經完成了。否則，我們繼續。 (f)串聯電阻的值以DR增加（該值可以調整， e.g., =博士0.001 W)。

(g)使用（式（242）和（243）)更新平行電阻：

(h)使用（式（244）)更新照片產生的電流：

(i)跳轉到步驟(e) (242) (243) (244) 此方法Z后使用（式（76）)進行糾正Iph并假設是常數值Rsh和接收站.Z終是在目標條件下，可以被翻譯為 （方程（245）)：

G02：Boutana方法

與之前的方法G01一樣，Boutana等人提出的方法。[73]還要求二極管理想性因子m作為輸 入。用來模擬I-V曲線的步驟是指(G2，T2)如下：

(a)首先，開路電壓的值由熱電壓歸一化，使用 （公式（246）)：

(b)然后，在初始條件下的填充因子(G1，T1)是通過 （方程（247）)：

(c)可以在不受寄生電阻影響的情況下估計一種填充因子（式（248）)：

(d)然后，假設串聯電阻rs是常數，可以用以下表達式（公式（249））來估計：

(e)短路電流ISC2以及開路電壓第2版目標下 條件(G2，T2）可以分別使用（式（15）和（43）)來實現。 (f)再次，在(G2，T2）使用（式（250）)進行歸一化。然后，FF * 2 也可以使用（式（251）)進行計算：

(g)一種標準化的串聯電阻rs2 指(G2，T2)可以計算 （方程（252）)：

(h)目標條件下的填充因子(G2，T2)可以近似地使用 以下表達式（等式（253）)：

(i)初始化了一個輔助變量S = 1。 (j)對于一個包含電壓點Vj的網格中的每個點j，都可以產生一個電流值 Ij（如式（254）)所示：

(k)計算了該新曲線的主要電參數（包括FFr)。(l)如果|FFr-FF2|小于閾值，則完成。否 則，繼續。 (m)S的值增加了DS(這個值可以調整，e。g., DS = 0.01).(n)跳轉到步驟(j) 一旦我們完成了，在步驟j)中生成的I-V曲線是修正后的I-V曲線，指的是(G2，T2). 

G03：卡雷羅法 

這個程序允許估計SDM [74]的五個參數。下面要的步驟列表是 (a)首先，二極管理想性因子m的初始值0是計算使用 （方程式（255）-（258））：

(b)串聯電阻和平行電阻的初始值均由 （式（259）至（261）)的平均值：

(c)更新二極管理想性因子m（方程（262）-（268））：

(d)兩種寄生電阻均根據（式（269）-（271））進行更新：

(e)如果Rs的變化1小于閾值，循環應該停止，我們繼續 步驟(f)。否則，我們將跳轉到步驟(c). (f)照片生成的電流Iph1通過（式（272）)和 飽和電流是1使用（方程（273）)：

G04：斯托內利的方法 

在這種方法[75]中，必須執行以下步驟：

(a)該方法的D一步是假設二極管理想性因子的初始值m=1

(b)第二步包括估計串聯電阻Rs的值1，飽和度動量電流是1，以及照片生成的電流Iph1通過（公式（275）-（277））：

(c)我們需要獲得MPP處電壓的計算值：

(d)如果實際的VOC1與計算出的V之間存在差異* O C1如果小于一個閾值，我們必須跳轉到步驟(f) 。在其他情況下，我們會繼續說下去。 (e)如果VOC1> V * O C1，二極管理想性因子m的值增加了Dm。否則， (第1版< V * O C1 )m減少了Dm（例如，Dm的值可以為0.01）。現在，我們跳轉到步驟(b). (f)一旦確定了m的值，在程序的第二部分中，該值的Rsh1是調整。Rsh的初始值1由（式（279）和（280）)表示：

(g)飽和電流為1使用（公式（281）)進行更新：

(h)光電電流Iph1使用（式（282）)確定：

(i)一旦我們有了Iph的值1,是1, m,接收站1和Rsh1，則可以解析SDM模型，從而得到I * M 1 ，與 測量值對應的電流的計算值VM1根據這一組參數。 (j)如果實際情況之間的差異IM1和計算出來的我* M 1小于 閾值，我們就可以完成這個循環了。否則，我們繼續。 (k)如果IM1< I * M 1，平行電阻的值Rsh1增加了德爾什1 .如果不是， (IM1> I * M 1 ), Rsh1減少了德爾什1(的價值德爾什1例如，可以是0 W)。.1然后，我們跳 轉到第g步)

(l)Z后，我們可以執行從(G1，T1）至(G2，T2)使用（方程（76）， （77）、（79）和（80）)。 其余的方法（從G05到G08)分別與G01到G04相同，僅改變（式（76）)為（式（88）)。

鏈接：IEC60891和其他溫度和輻照度校正程序與光伏器件I-V特性的比較